联系人:陈先生手 机:18662595578 13701547793电 话:0512-66158281传 真:0512-65462281E-mail:hengli@henglipvd.com地址:苏州市相城区黄桥镇方浜工业区
分子束外延(MBE)是利用分子在超高真空(10-10Torr以下)的环境下,以直线行进不与其他分子碰撞的情况下前进到基板之上,形成致密的高纯度镀层。分子束外延(MBE)的分子源需要根据不同的材料特性以及制程需求来进行选择。系统优点:真空镀膜机分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的成长过程,如果控制精确度,可以达到单原子层成长,因此可以轻易地控制,成出超晶格结构。其成膜温度低能而有效减少缺陷,成长出高质量薄膜。与之相比,分子束外延的缺点是膜厚成长缓慢,镀膜均匀度较难掌握,需要很干净的超高真空环境保证镀膜质量。